類別 分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

FET 類型

N 通道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 250 V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 46A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 46 毫歐 @ 26A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值） 110 nC @ 10 V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 4560 pF @ 25 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 330W（Tc）

工作溫度 -40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應商器件封裝 TO-220AB

封裝/外殼 TO-220-3

基本產品編號 IRFB4229