安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續漏極電流: 6 A
Rds On-漏源導通電阻: 850 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 22 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 75 W
通道模式: Enhancement
商標名: SuperFET II
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 4.5 ns
高度: 2.39 mm
長度: 6.73 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
系列: FCD850N80Z
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 16 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg
TPS65268QRHBTQ1
TPS6209733QWRGTRQ1
TPS62097QWRGTRQ1
TPS65263-1QRHBRQ1
TPS65263-1QRHBTQ1
TPS57112CQRTERQ1
TPS54560BQDDAQ1
TPS54560BQDDARQ1
TPS6213013AQRGTRQ1
TPS6213013AQRGTTQ1
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