TAJB335M016RNJ_TAJB335M016RNJ導讀

有的MOSFET內部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續流二極管。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。

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TLJF227M010R0300

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

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TAJA336M002RNJ

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

0402220K5% 040222R5% 040225.5K1% 0402270R5% 04022K5% 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

TAJA105M016RNJ TAJA105M020RNJ TAJA105M025RNJ TAJA105M035RNJ TAJA105M050RNJ TAJA106K004RNJ TAJA106K006RNJ TAJA106K010RNJ TAJA106K016RNJ TAJA106M004RNJ 。

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NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。

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