2022年03月28日，致力于亞太地區市場的半導體元器件分銷商---華雄集團宣布，其旗下世捷推出英飛凌(Infineon)的650V TRENCHSTOP 5 IGBT，對傳統技術的突破，重新界定IGBT同級佳效能。

該款器件采用TRENCHSTOP 5技術的新一代薄晶圓IGBT(絕緣柵雙極晶體管)，與當前解決方案相比，該產品大大降低了導通和開關損耗，提高系統效率及功率密度并降低系統成本。憑借這一重大突破，英飛凌在IGBT性能方面設定了新基準，并繼續在要求持續提升效率的市場占據位置。

由于擊穿電壓增加到650V，該全新技術為設計帶來了更高的安全裕度。目標應用為不間斷電源(UPS)、光伏逆變器、和逆變焊機等應用中常見的升壓PFC(AC/DC)級和高壓DC/DC拓撲。

TRENCHSTOP 5為兩個產品系列奠定了基礎。HighSpeed 5(H5)是易用型軟開關高速IGBT，用于即插即用取代現有的IGBT，因為其可輕松融入產品設計之中。H ighSpeed 5 FAST(F5)是迄今為止高效的IGBT，譬如，采用“H4 bridge”拓撲的UPS逆變器的系統效率達到了98%以上。

TRENCHSTOP 5在IGBT性能方面帶來了飛躍，以更高的系統效率和更高的擊穿電壓，提升了可靠性。這會導致整個平臺的系統成本降低。對于那些要求在一個解決方案中具備所有這些特性的客戶而言，TRENCHSTOP 5是佳選擇。全新的TRENCHSTOP? 5技術為UPS應用帶來了巨大益處。與當今來自英飛凌的HighSpeed(H3)相比，傳導損耗降低了超過10%，總開關損耗降低了超過60%。效率的大幅度提升使得可實現更低的工作結溫，確保更高的壽命周期可靠性，或實現更高功率密度的設計。譬如，應用測試已經證明采用TO-220封裝的TRENCHSTOP? 5比采用TO-247封裝的H3的外殼溫度低15%。

其他重大改進包括飽和電壓(Vce(sat))正溫度系數和關斷開關損耗(Eoff)，確保性能在高溫操作期間不降低，并可直接進行并聯。與H3相比降低60%的柵電荷(Qg)使得IGBT能以更低成本進行更輕松驅動。此外，TRENCHSTOP? 5具有快速恢復續流二極管的溫度穩定正向壓降(VF)，且反向恢復時間(Trr)不到50ns。低輸出電容(Coss和Eoss)帶來了杰出的輕載效率，是工作范圍主要在額定值40%以下的設計的理想之選。

F5+SiC Diode系統高效率突破98%，而使用H5+FRD 效率相比于H3，全功率段效率提升0.2%以上;或者在維持原先的效率的基礎上提高開關頻率，減小電感等磁性組件尺寸，從而降低系統成本。

英飛凌高能效IGBT、二極管產品在UPS應用推薦

1. PFC 二極管— 650V 超快恢復二極管

英飛凌的全新快速1和快速2功率硅二極管作為現有高功率600V/650V二極管的補充，填補了碳化硅二極管與發射極控制二極管之間的空白。全新極速和超高速二極管系列提供無與倫比的效率和可靠性以及超高的性價比。額外的50V確保更高的可靠性。

Rapid1 VF 1.35V，適合頻率范圍18KHz~40KHz，Rapid2 VF 1.6V，適合頻率范圍：40KHz~100KHz。