TAJB476K006RNJ_TAJB476K006RNJ導讀

今天給大家介紹一款適用于鋰電池保護板可替代AO3401等MOS管的國產場效應管：NCE3401。

TAJB476K006RNJ_TAJB476K006RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />

TAJE476K025RNJ

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

TAJB476K006RNJ_TAJB476K006RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />

TAJE477K006RNJ

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

PMOS門電路與NMOS電路的原理完全相同，只是電源極性相反而已。MOS集成電路包括: NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成的PMOS電路及由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。

1、P溝道mos管作為開關，柵源的閥值為-0.4V，當柵源的電壓差為-0.4V就會使DS導通，如果S為2.8V，G為1.8V，那么GS=-1V，mos管導通，D為2.8V 如果S為2.8V，G為2.8V，VGSw 那么mos管不導通，D為0V，所以，如果2.8V連接到S，要mos管導通為系統供電，系統連接到D，利用G控制。

TAJB476K006RNJ_TAJB476K006RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />

總的來說，MOSFET優點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓高。

相關資訊