TAJB476M004RNJ_TAJB476M004RNJ導讀

由p型襯底和兩個高濃度n擴散區構成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓（柵源電壓為零）時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。

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TAJD155M050RNJ

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

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TAJB225K016RNJ

如果控制G的GPIO的電壓區域為1.8V，那么GPIO高電平的時候為1.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導通，不能夠關斷。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉。那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關斷，低電平使mos管導通。 GPIO為低電平的時候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

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NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。

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