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BUK9Y19-100E

發布時間:2022/4/13 10:46:00 訪問次數:82 發布企業:深圳市維基鴻電子有限公司

Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
DS
drain-source voltage
25 °C ≤ T
j
≤ 175 °C
-
-
100
V
I
D
drain current
V
GS
= 5 V; T
mb
= 25 °C;
Fig. 2
-
-
56
A
P
tot
total power dissipation
T
mb
= 25 °C;
Fig. 1
-
-
167
W
Static characteristics
R
DSon
drain-source on-state
resistance
V
GS
= 5 V; I
D
= 15 A; T
j
= 25 °C;
Fig. 11
-
14.6
19

Dynamic characteristics
Q
GD
gate-drain charge
I
D
= 15 A; V
DS
= 80 V; V
GS
= 5 V;
T
j
= 25 °C;
Fig. 13
; Fig. 14
-
14.1
-
nC


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