TAJB685K006RNJ_TAJB685K006RNJ導讀

N溝道增強型MOS管的結構在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。

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TAJD226K025RNJ

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

MOS管和三極管類似，只不過 MOS管是壓控壓型（電壓控制），而三極管是流控流型（電流控制）。。至于MOS管的使用，N型與P型存在區別，對于應用，我們只需要知道： 1、對于N型MOS管，若G的電壓比S處高（G、S間存在壓差，具體電平看具體MOS管 ），D、S（電壓方向D指向S）之間就會導通，此時D、S間相當于一個很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會截止，此時D、S間相當于一個很大的電阻，電流就無法流過。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

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TLJA227M004R1100

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

如果控制G的GPIO的電壓區域為1.8V，那么GPIO高電平的時候為1.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導通，不能夠關斷。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉。那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關斷，低電平使mos管導通。 GPIO為低電平的時候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。

。N型MOS管應用的場景更多，相比于比P型MOS管，其優點如下 1、開關速度更快 2、耐壓更高 3、通過的電流更大下面是N型MOS管的一個簡單的引用電路，當G端通入高電平，MOS管D、S間導通，此時MOS管導通，電機的電流得以通過，電機轉動。當G端為低電平的時候，D、S間無法導通，電機也就無法運行。

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

TAJB685K006RNJ_TAJB685K006RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />

導通時序可分為to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四個時間段，這四個時間段有不同的等效電路。

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