IQE050N08NM5CGATMA1

類型描述選擇
類別 分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包裝 卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷帶
零件狀態 在售
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 80 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 16A（Ta），101A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 5 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 3.8V @ 49μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 43.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 2900 pF @ 40 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），100W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝，可潤濕側翼
供應商器件封裝 PG-TTFN-9-1
封裝/外殼 8-PowerTDFN

DP83848QSQ
DS90UH928QSQX/N OPB
TCA9617BDGKR
TLC59108IPWR
TPS70950DRV
LM53601MQDSXRQ1
DRV8301QDCARQ1