TAJC227K006RNJ_TAJC227K006RNJ導讀

而這款場效應管NCE80H12背后的新潔能利用自身技術優勢，與8英寸晶圓代工廠、封裝測試代工廠緊密合作，具備完善的質量管理體系，確保產品的持續品質和穩定供貨。

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TAJE337M010RNJ

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

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TAJD477K006RNJ

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

如果控制G的GPIO的電壓區域為1.8V，那么GPIO高電平的時候為1.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導通，不能夠關斷。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉。那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關斷，低電平使mos管導通。 GPIO為低電平的時候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。

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MOSFET應用于開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等等高頻電源領域；IGBT集中應用于焊機、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應加熱等領域。

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