類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVIII-H
包裝
卷帶（TR）
零件狀態
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
160A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2.4 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
122 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
10100 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作溫度
175°C
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-220SM（W）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
基本產品編號
TK160F10
B14B-PH-K-S(LF)(SN)
B14B-PHDSS-B(LF)(SN)
B10P-VH(LF)(SN)
10P-SJN
PUDP-14V-S
PADP-16V-1-S
GHR-14V-S
ELR-04NV
ELP-12V
ELP-06V
B4P-VH
B3P-VH
ZHR-2
VLP-02V-1
PADP-14V-1-S
SYF-01T-P0.5A
B7B-PH-K-S
B4B-XH-2-TV4-Y
73495-3
VHR-6N
