製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: DIP-4
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 1.1 A
Rds On - 漏-源電阻: 500 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4 V
Qg - 閘極充電: 12 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 1.3 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
高度: 3.37 mm
長度: 6.29 mm
產品類型: MOSFET
系列: IRFD
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
寬度: 5 mm
每件重量: 894.062 mg