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STGD5H60DF

發布時間:2022/4/21 15:59:00 訪問次數:95

STGD5H60DF

制造商: STMicroelectronics
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: DPAK-3
安裝風格: SMD/SMT
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.5 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 10 A
Pd-功率耗散: 83 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: STGD5H60DF
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: STMicroelectronics
集電極連續電流: 5 A
集電極最大連續電流 Ic: 10 A
柵極—射極漏泄電流: +/- 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 2500
子類別: IGBTs
單位重量: 330 mg






ACT45B-510-2P-TL003
B82793S0513N201
TPS63030DSKR
TLV70230DBVR
TLV70233DBVR
TPS63802DLAR
24LCS52T-I/MS
STM32G030F6P6TR
STM32F103ZGT6
STM32L051T8Y6TR
STM32G031G8U6
STM8S105K4T6C
CM1442-06CP
DMHC3025LSD-13
DMG1016UDW-7
DMN2075U-7
DMN2056U-7
PIC16LF1829-I/ML
Si1141-M01-GMR
KSZ8851SNL
BQ40Z50RSMR-R2/R1
CS5343-CZZR
MC908MR32CFUE
MAX3232EEUE+T
PN7150B0HN/C11002
PCM3168APAPR
STM32G030K6T6
MT40A512M16TB-062E:J
TPS63802DLAR
TPS63030DSKR
STM8S105K4T6C
TPA6100A2DGKR
STM32G030F6P6TR
ACT45B-510-2P-TL003

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