制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS®-P2
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷帶
零件狀態
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
120A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3.4 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 340μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
234 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
15000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO263-3-2
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
基本產品編號
IPB120
