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SQJ570EP-T1GE3

發布時間:2022/4/26 9:23:00 訪問次數:66

類別 分立半導體產品晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 Vishay Siliconix
系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包裝 卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷帶
零件狀態 在售
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 標準
漏源電壓(Vdss) 100V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 15A(Tc),9.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 45 毫歐 @ 6A,10V,146 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V,15nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,600pF @ 25V
功率 - 最大值 27W
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 PowerPAK® SO-8 雙
供應商器件封裝 PowerPAK® SO-8 雙
基本產品編號 SQJ570

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