IPD350N06LG

類別 分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包裝 卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷帶
零件狀態 在售
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 29A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 35 毫歐 @ 29A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2V @ 28μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 13 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 800 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 68W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 PG-TO252-3
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
基本產品編號 IPD350