HEXFET
包裝
管件
零件狀態
Digi-Key停止提供
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C時電流-連續漏極(Id)
50A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
4.5V，10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
6.8毫歐@50A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
2.5V@100μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
49nC@4.5V
Vgs（最大值）
±16V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
3779pF@50V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
143W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D-Pak
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
