TAJD155K050RNJ_TAJD155K050RNJ導讀

代表符號中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好)。圖(a)、(b)分別是它的結構示意圖和代表符號。在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。它的柵極與其它電極間是絕緣的。

TAJD155K050RNJ_TAJD155K050RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />

TAJB685K006RNJ

對于P型MOS管，若S的電壓比G處高（G、S間存在壓差，具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會導通（電壓方向S指向D），此時D、S間相當于一個很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會截止 ，此時D、S間相當于一個很大的電阻，電流就無法流過。

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。

IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。

TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。

TAJD155K050RNJ_TAJD155K050RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />

TAJC155M035RNJ

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

TAJD155K050RNJ_TAJD155K050RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113479907990.jpg" />

NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。

相關資訊