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IPB120P04P4-04

發布時間:2022/4/28 16:05:00 訪問次數:89

原裝現貨

歐盟RoHS

符合免稅

ECCN(美國)

EAR99

零件狀態

新設計

高度關注物質(SubstancesofVeryHighConcern)

SVHC超過閾值

汽車的

生產件批準程序(ProductionPartApprovalProcess)

未知的

積范疇

功率MOSFET

配置

單一的

加工工藝學

OptiMOS

通道方式

提高

渠道類型

P

每個芯片的元素數量

最大漏源電壓(V)

40

最大柵源電壓(V)

20

最大柵極閾值電壓(V)

最大連續漏極電流(A)

120

最大柵源漏電流(nA)

100

最大IDSS

最大漏源電阻(MOhm)

10V時為3.5伏

典型柵極電荷@ Vgs (nC)

158@10V

10V時的典型柵極電荷(nC)

158

典型輸入電容@ Vds (pF)

25V時為11380

最大功耗(mW)

136000

典型下降時間(ns)

52

典型上升時間(ns)

20

典型關斷延遲時間(ns)

49

典型開啟延遲時間(ns)

30

最低工作溫度(℃)

-55

最高工作溫度(℃)

175

包裝

磁帶和卷軸

引腳數

3

標準包名稱

至-263

供應商包

D2PAK

增加

表面黏著方式

包裝高度

4.4

包裝長度

10

包裝寬度

9.25

PCB已更改

2

標簽

標簽

引線形狀

鷗翼

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