參數名稱 參數值
生命周期 Active
Objectid 8363005141
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代碼 EAR99
風險等級 5.82
雪崩能效等級（Eas） 466 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 100 V
最大漏極電流 (ID) 160 A
最大漏源導通電阻 0.0037 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 480 A
參考標準 AEC-Q101
表面貼裝 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
Xilinx XC7K160T-2FFG676C 400 21+ 155
Xilinx XC7K160T-2FFG676I 600 21+ 155
Xilinx XC7Z020-2CLG400I 2250 21+ 92.5
Xilinx XC95288XL-10TQG144C 1200 21+ 14.5
Xilinx XCKU060-1FFVA1156C 360 21+ 325
Xilinx XC7A200T-2FFG1156C 800 21+ 135
Xilinx XC3S200A-4VQG100C 1900 21+ 9
Altera EN6337QI 500 21+ 215
Altera EN5322QI 1000 21+ 515
Altera EN6347QI 500 20+ 325
Altera EN5311QI 500 21+