類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
InfineonTechnologies
系列
OptiMOS
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C時電流-連續漏極(Id)
17A（Ta），40A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
6V，10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
4.2毫歐@20A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
2.8V@36μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
27nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
2000pF@30V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），69W（Tc）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TSDSON-8-FL
封裝/外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSZ042
SN75HVD12DR
TLC372CDR
TLV2764IPWR
MAX232ECDR
LMV614MTXPB
