TPH2R608NHL1Q

類別 分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 U-MOSVIII-H
包裝 卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷帶
零件狀態 在售
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 75 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 150A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 2.6 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 72 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 6000 pF @ 37.5 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 142W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 8-SOP Advance（5x5）
封裝/外殼 8-PowerVDFN
基本產品編號 TPH2R608