VSC6134ST_VITESSE 21+ BGA導讀

事實上，近些年隨著AI在物聯網的滲透和邊緣計算能力的增強，MEMS傳感器憑借體積小、重量輕、功耗低、可靠性高、靈敏度高等一系列優點，正逐漸成為微型傳感器的主力軍，大有取代傳統機械傳感器的趨勢。

VSC6134ST_VITESSE 21+ BGA" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154955135513.jpg" />

VSC8142VR-01

因此，自動駕駛領域的導航系統精度無法只通過高精度衛星來保障，基于MEMS傳感器技術的慣性測量單元(IMU)才是保障自動駕駛的最后一道屏障。

ADI 采用硅技術的新型高功率開關為 RF 設計人員和系統架構師提供了提高其系統復雜度的靈活性，且不會讓 RF 前端成為其設計瓶頸。ADI 采用硅技術的新型高功率開關專為簡化 RF 前端設計而研發，免除外圍電路的需要并將功耗降至可忽略不計的水平。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品，如計算機、移動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關聯。

VSC6134ST_VITESSE 21+ BGA" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154951345134.jpg" />

VITESSE 21+ BGA

它簡化了電源要求，且不需要高功率電阻器。與基于 PIN 二極管的開關相比，硅開關所占用的 PCB 面積不到其 1/10。并排對比了單層 PCB 設計上基于 PIN 二極管的開關和新型硅開關的印刷電路板 (PCB) 原圖。

多輸入、多輸出 (MIMO) 收發器架構廣泛用于高功率 RF 無線通信系統的設計。作為邁入 5G 時代的一步，覆蓋蜂窩頻段的大規模 MIMO 系統目前正在城市地區進行部署，以滿足用戶對于高數據吞吐量和一系列新型業務的新興需求。

N型MOS管應用的場景更多，相比于比P型MOS管，其優點如下 1、開關速度更快 2、耐壓更高 3、通過的電流更大下面是N型MOS管的一個簡單的引用電路，當G端通入高電平，MOS管D、S間導通，此時MOS管導通，電機的電流得以通過，電機轉動。。當G端為低電平的時候，D、S間無法導通，電機也就無法運行。

AD8351ARMZ-REEL7 AD5791BRUZ ADUM3151BRSZ-RL7 ADG5412BCPZ-REEL7 ADUM3223ARZ-RL7 。

VSC6134ST_VITESSE 21+ BGA" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154951345134.jpg" />

新的技術能力也有助于制造商從對工廠自動化設備的投入中獲得更多的價值。IIoT背后的理念是通過數字化整個工業運營鏈來提高生產率，并基于數字數據建立洞察力。

相關資訊