制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
RoHS:
壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導通電阻: 5.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 7.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Texas Instruments
配置: Single
開發套件: DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
下降時間: 3.6 ns
正向跨導 - 最小值: 67 S
高度: 1 mm
長度: 3.3 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 9.9 ns
系列: CSD17309Q3
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 13.2 ns
典型接通延遲時間: 6.1 ns
寬度: 3.3 mm
單位重量: 44.500 mg
