晶體管, MOSFET, N溝道, 30 A, 650 V, 0.079 ohm, 10 V, 4.5 V

ON Semiconductor650V SuperFET III系列具有卓越的性能, 超結MOSFET專為高功率密度應用設計。

針腳數3
漏源極電阻0.079 Ω
耗散功率227 W
閾值電壓4.5 V
漏源極電壓(Vds)650 V
上升時間24 ns
下降時間5 ns
工作溫度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)227 W
封裝參數
安裝方式Through Hole
引腳數3
封裝TO-220-3
外形尺寸
封裝TO-220-3
物理參數
工作溫度-55℃ ~ 150℃