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SIR846ADP-T1-GE3

發布時間:2022/5/9 9:40:00 訪問次數:81

類別 分立半導體產品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個


制造商 Vishay Siliconix


系列 TrenchFET®


包裝 卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel® 得捷定制卷帶


零件狀態 在售


FET 類型 N 通道


技術 MOSFET(金屬氧化物)


漏源電壓(Vdss) 100 V


25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 60A(Tc)


驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V


不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 7.8 毫歐 @ 20A,10V


不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA


不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)(最大值) 66 nC @ 10 V


Vgs(最大值) ±20V


不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 2350 pF @ 50 V


FET 功能 -


功率耗散(最大值) 5.4W(Ta),83W(Tc)


工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)


安裝類型 表面貼裝型


供應商器件封裝 PowerPAK® SO-8


封裝/外殼 PowerPAK® SO-8


基本產品編號 SIR846

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