UnitedSiC 的 SiC FET 具有多種 RDS(on) 和封裝選項，最大限度地提高了設計靈活性和成本效益

UF4C120053K3S,UF4C120053K4S. UF4C120070K3S,UF4C120070K4S.

UnitedSiC的 UF4C/SC 第 4 代 SiC FET 系列基于獨特的共源共柵配置，額定電壓為 1200 V，并提供 23 mΩ 至 70 mΩ 選項。這些器件在 R DS(on)x 1.35 mΩ cm2的面積、RDS(on)x Eoss為 0.78 Ω μJ、RDS(on)x Coss(tr)上提供出色的性能品質因數 (FoM)4.5 Ω pF，RDS(on)x QG為 0.9 Ω nC。它們是電動汽車 (EV) 車載充電器、工業電池充電器、工業電源供應器、太陽能中的 DC/DC 以及焊機、UPS 和感應加熱應用中主流 800 V 總線架構的最佳電源解決方案。
這些器件基于多種可用的 RDS(on)和封裝選項，最大限度地提高了設計靈活性和成本效益。這些器件可以使用標準的 0 V 至 12 V 或 15 V 柵極驅動電壓安全驅動。真正的 5 V 閾值電壓可保持良好的閾值噪聲容限。與前幾代產品一樣，這些 SiC FET 可以在典型的 Si IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET 驅動電壓下運行。它們還包括一個內置的 ESD 柵極保護鉗位。

特征 1200 VVDS等級 23 mΩ 至 70 mΩ 的低 RDS(on) 出色的性能 FoM
RDS(on)x 面積 RDS(on)x Eoss RDS(on)x Coss(tr) RDS(on) x QG 使用標準 0 V 至 12 V 或 15 V 柵極驅動電壓安全驅動 ESD 保護，HBM 2 級 在真正的 5 V 閾值電壓下保持出色的閾值噪聲容限 適用于所有 Si IGBT、Si FET 和 SiC FET 驅動電壓 出色的反向恢復 出色的體二極管性能（VF<2 V） 低柵極電荷 低固有電容 TO-247-3L 和 TO-247-4L 行業標準封裝 應用 車載充電 工業電池充電器 太陽能中的 PFC 工業電源 焊接機 UPS 感應加熱