NGTB15N60S1EG

製造商: onsemi
產品類型: IGBT 電晶體
RoHS: 詳細資料
技術: Si
封裝/外殼: TO-220-3
安裝風格: Through Hole
集電極-發射極最大電壓VCEO: 600 V
集電極-發射極飽和電壓: 1.7 V
柵極發射機最大電壓: 20 V
連續集電極電流在25 C: 30 A
Pd - 功率消耗 : 47 W
系列: NGTB15N60S1
封裝: Tube
品牌: onsemi
柵射極漏電電流: 100 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 1
子類別: IGBTs
每件重量: 2.300 g