製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續漏極電流: 43.3 A
Rds On - 漏-源電阻: 72 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.5 V
Qg - 閘極充電: 161 nC
最低工作溫度: - 40 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 391 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
公司名稱: CoolMOS
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 6 ns
高度: 21.1 mm
長度: 16.13 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 18 ns
系列: CoolMOS CFDA
原廠包裝數量: 240
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 85 ns
標準開啟延遲時間: 20 ns
寬度: 5.21 mm
零件號別名: IPW65R8CFDAXK SP000875806 IPW65R080CFDAFKSA1
每件重量: 6 g
