TAJD686K020RNJ_TAJD686K020RNJ導讀

N溝道增強型MOS管的結構在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。

TAJD686K020RNJ_TAJD686K020RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />

TAJD477M002RNJ

但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。那么寄生二極管起什么作用呢?當電路中產生很大的瞬間反向電流時，可以通過這個二極管導出來，不至于擊穿這個MOS管。(起到保護MOS管的作用)。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結構，所以沒有這個二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

TAJD686K020RNJ_TAJD686K020RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113479907990.jpg" />

TAJC685M035RNJ

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

TAJD686K020RNJ_TAJD686K020RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />

]區間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產生Millier效應，Cgd電容大大增加,柵極電流持續流過，由于C gd 電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs 的充電,從而使得Vgs 近乎水平狀態，Cgd 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續減小。

相關資訊