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SI7469DP-T1-GE3

發布時間:2022/5/11 9:34:00 訪問次數:73

類別 分立半導體產品晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷帶
零件狀態 在售
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 80 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 28A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 25 毫歐 @ 10.2A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 160 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 4700 pF @ 40 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 5.2W(Ta),83.3W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 PowerPAK® SO-8
封裝/外殼 PowerPAK® SO-8
基本產品編號 SI7469




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