SQ2325ES-T1-GE3

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
VishaySiliconix
系列
Automotive,AEC-Q101,TrenchFET
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET類型
P通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
150V
25°C時電流-連續漏極(Id)
840mA（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
1.77歐姆@500mA，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
3.5V@250μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
10nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
250pF@50V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本產品編號
SQ2325
LTC3534EDHC
BTS7008-2EPA
TLV803SDBZR
TPS22965NTDSGRO1