TAJE108K004RNJ_TAJE108K004RNJ導讀

在圖1我們看到D極和S極之間存在著一個二極管，這個二極管叫寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結構，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個二極管。在網上查了一番資料才知道，它是由生產工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個寄生二極管。MOS的寄生二極管怎么來的呢?翻開大學里的模擬電路書里面并沒有寄生二極管的介紹。

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TAJB106K016RNJ

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

有的MOSFET內部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續流二極管。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

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TAJB685M006RNJ

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

先講講MOS/CMOS集成電路 MOS集成電路特點：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規模集成電路。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

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至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應影響變小，Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅動電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達穩態,DS間電壓也達最小，MOSFET完全開啟。

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