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NTR1P02LT1G

發布時間:2022/5/13 9:35:00 訪問次數:56

類別 分立半導體產品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個


制造商 onsemi


系列 -


包裝 卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel® 得捷定制卷帶


零件狀態 在售


FET 類型 P 通道


技術 MOSFET(金屬氧化物)


漏源電壓(Vdss) 20 V


25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 1.3A(Ta)


驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V


不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 220 毫歐 @ 750mA,4.5V


不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250μA


不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)(最大值) 5.5 nC @ 4 V


Vgs(最大值) ±12V


不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 225 pF @ 5 V


FET 功能 -


功率耗散(最大值) 400mW(Ta)


工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)


安裝類型 表面貼裝型


供應商器件封裝 SOT-23-3(TO-236)


封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


基本產品編號 NTR1P02

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