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STGD6NC60HDT4 Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 2064706592
零件包裝代碼 TO-252AA
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
針數 3
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
風險等級 1.61
最大集電極電流 (IC) 15 A
集電極-發射極最大電壓 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
門極發射器閾值電壓最大值 5.75 V
門極-發射極最大電壓 20 V
JEDEC-95代碼 TO-252AA
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
元件數量 1
端子數量 2
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 56 W
認證狀態 Not Qualified
子類別 Insulated Gate BIP Transistors
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 POWER CONTROL
晶體管元件材料 SILICON
標稱斷開時間 (toff) 222 ns
標稱接通時間 (ton) 17.3 ns
STGD6NC60HDT4 
