類別 分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 Infineon Technologies
系列 SIPMOS®
包裝 卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷帶
零件狀態 在售
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 1A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 800 毫歐 @ 1A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 1V @ 380μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 16.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 372 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 PG-SOT223-4
封裝/外殼 TO-261-4，TO-261AA
基本產品編號 BSP322