IPW90R120C3XKSA1

製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 900 V
Id - C連續漏極電流: 36 A
Rds On - 漏-源電阻: 120 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.5 V
Qg - 閘極充電: 270 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 417 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 25 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
原廠包裝數量: 240
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 400 ns
標準開啟延遲時間: 70 ns
零件號別名: IPW90R120C3 SP002548896
每件重量: 6 g