半導體 分立半導體 晶體管 MOSFET Texas Instruments CSD13380F3 制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PICOSTAR-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 12 V
Id-連續漏極電流: 3.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 76 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 550 mV
Qg-柵極電荷: 1.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.4 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 3 ns
正向跨導 - 最小值: 4.3 S
高度: 0.35 mm
長度: 0.73 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 4 ns
系列: CSD13380F3
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 11 ns
典型接通延遲時間: 4 ns
寬度: 0.64 mm
單位重量: 0.300 mg