制造商 Toshiba 產品種類 MOSFET RoHS 是 安裝風格 SMD/SMT 封裝 / 箱體 SOP-Advance-8 通道數量 1 Channel 晶體管極性 N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓 60 V Id-連續漏極電流 130 A Rds On-漏源導通電阻 1.9 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓 4 V Qg-柵極電荷 72 nC 最小工作溫度 - 55 C 最大工作溫度 + 150 C Pd-功率耗散 78 W 配置 Single 高度 0.95 mm 長度 5 mm 系列 TPH2R306NH 晶體管類型 1 N-Channel 寬度 5 mm 下降時間 16 ns 上升時間 9.9 ns 典型關閉延遲時間 50 ns 典型接通延遲時間 29 ns 單位重量 851 mg 可售賣地 全國
型號
TPH2R306NH,L1Q
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