類別 離散式半導體產品電晶體 - FET、MOSFET - 單一
製造商 Infineon Technologies
系列 SIPMOS®
包裝 編帶和捲軸封裝 (TR)絕緣帶封裝 (CT)Digi-Reel®
產品狀態 有源
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 100 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 1 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 800mOhm @ 1A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1V @ 380μA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 372 pF @ 25 V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 1.8W (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 PG-SOT223-4
封裝／外殼 TO-261-4、TO-261AA
基礎產品編號 BSP322
