制造商 Diodes Incorporated 產品種類 MOSFET RoHS 是 技術 Si 安裝風格 SMD/SMT 封裝 / 箱體 SO-8 晶體管極性 P-Channel 通道數量 2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓 30 V Id-連續漏極電流 6.9 A Rds On-漏源導通電阻 45 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓 10 V Vgs th-柵源極閾值電壓 1 V Qg-柵極電荷 6.8 nC 最小工作溫度 - 55 C 最大工作溫度 + 150 C Pd-功率耗散 2.5 W 通道模式 Enhancement 資格 AEC-Q101 配置 Dual 商標 Diodes Incorporated 下降時間 14.7 ns 產品類型 MOSFET 上升時間 5.3 ns 工廠包裝數量 2500 子類別 MOSFETs 典型關閉延遲時間 26.5 ns 典型接通延遲時間 6.4 ns 單位重量 180 g 可售賣地 全國
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