SI2301CDS-T1-GE3

類型描述選擇
類別 分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包裝 卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷帶
產品狀態 在售
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 3.1A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 112 毫歐 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 405 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 860mW（Ta），1.6W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本產品編號 SI2301