SUM90P10-19L-E3

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 90 A
Rds On-漏源導通電阻: 19 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 217 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 870 ns
正向跨導 - 最小值: 80 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 510 ns
系列: SUM
工廠包裝數量: 800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 145 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
單位重量: 4 g