TAJV157M020RNJ_TAJV157M020RNJ導讀

同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。

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TAJC335M025RNJ

Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現隔離，同時確保兩只驅動管Q3和Q4不會同時導通。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

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TAJE157K016RNJ

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

MOS管是金屬 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半導體 (semiconductor) 場效應晶體管，或者稱是金屬 — 絕緣體 (insulator) — 半導體。

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MOSFET應用于開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等等高頻電源領域；IGBT集中應用于焊機、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應加熱等領域。

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