TLJT227M002R1200_TLJT227M002R1200導讀

它的柵極與其它電極間是絕緣的。圖(a)、(b)分別是它的結構示意圖和代表符號。代表符號中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好)。

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TAJB476M010RNJ

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

。·用作無觸點開關：利用三極管的截止和導通特性來控制或驅動負載;比如由三極管組成的門電路、開關電源等。

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TAJD156M050RNJ

。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體 (MOS) 晶體管，或金屬氧化物半導體場效應管 (MOSFET) 。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

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結構和符號 (以N溝道增強型為例) —— 在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區作為漏極和源極，半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。

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