91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

位置:51電子網 » 企業新聞

IKQ75N120CH3XKSA1

發布時間:2022/6/7 9:55:00 訪問次數:42

類別 分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單


制造商 Infineon Technologies


系列 -


包裝


產品狀態 在售


IGBT 類型 -


電壓 - 集射極擊穿(最大值) 1200 V


電流 - 集電極 (Ic)(最大值) 150 A


電流 - 集電極脈沖 (Icm) 300 A


不同Vge、Ic 時Vce(on)(最大值) 2.35V @ 15V,75A


功率 - 最大值 938 W


開關能量 6.4mJ(開),2.8mJ(關)


輸入類型 標準


柵極電荷 370 nC


25°C 時 Td(開/關)值 34ns/282ns


測試條件 600V,75A,6 歐姆,15V


工作溫度 -40°C ~ 175°C(TJ)


安裝類型 通孔


封裝/外殼 TO-247-3


供應商器件封裝 PG-TO247-3-46


基本產品編號 IKQ75N120


報告一個錯誤 新建參數搜索

上一篇:AD7124-8BCPZ-RL7

下一篇:UCC28C45DR

相關新聞

相關型號



 復制成功!
吉林省| 鲜城| 健康| 明溪县| 新兴县| 千阳县| 精河县| 察隅县| 华亭县| 西盟| 益阳市| 磐安县| 浦城县| 喀喇| 北碚区| 许昌市| 民丰县| 龙海市| 武威市| 浮山县| 虞城县| 玛多县| 容城县| 平和县| 安陆市| 南昌县| 普宁市| 咸丰县| 七台河市| 福安市| 安徽省| 高唐县| 苍南县| 东丽区| 昭通市| 西峡县| 宁晋县| 乐山市| 惠来县| 深泽县| 永兴县|