TLJT157M004R0800_TLJT157M004R0800導讀

這個內阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流（當然和其它因素有關，如熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。這個電流通路的電阻被稱為MOS管內阻，也就是導通電阻。

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三極管的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。飽和導通狀態:當加在三極管發射結的電壓大于PN結的導通電壓，并當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時三極管失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電極和發射極之間相當于開關的導通狀態。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

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BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。

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開關只有兩種狀態通和斷，三極管和MOS管工作有三種狀態，1、截止，2、線性放大，3、飽和（基極電流繼續增加而集電極電流不再增加）。

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