制造商 ON Semiconductor 產品種類 MOSFET RoHS 是 安裝風格 SMD/SMT 封裝 / 箱體 SOT-363-6 通道數量 2 Channel 晶體管極性 N-Channel, P-Channel Vds-漏源極擊穿電壓 30 V, 20 V Id-連續漏極電流 250 mA, 880 mA Rds On-漏源導通電阻 1.5 Ohms, 500 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓 4.5 V, - 2.5 V Vgs th-柵源極閾值電壓 800 mV, 450 mV Qg-柵極電荷 0.9 nC, 2.2 nC 最小工作溫度 - 55 C 最大工作溫度 + 150 C Pd-功率耗散 270 mW 配置 Dual 通道模式 Enhancement 高度 0.9 mm 長度 2 mm 系列 NTJD4158C 晶體管類型 1 N-Channel, 1 P-Channel 寬度 1.25 mm 正向跨導 - 最小值 0.08 S, 3 S 下降時間 78 ns, 3.5 ns 上升時間 66 ns, 6.5 ns 典型關閉延遲時間 56 ns, 13.5 ns 典型接通延遲時間 15 ns, 5.8 ns 單位重量 28 mg 可售賣地 全國
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