型號：RU6199S-R
品牌：Ruichips(銳駿半導體)
封裝：TO-263
N溝道漏源電壓(Vdss)：60V連續漏極電流(Id)：200A功率(Pd)：300W導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,75A閾值電壓(Vgs(th)@Id)：4V@250uA柵極電荷(Qg@Vgs)：155nC@10V輸入電容(Ciss@Vds)：5.8nF@30V反向傳輸電容(Crss@Vds)：490pF@30V工作溫度：+175℃@(Tj)
RU6199S-R
發布時間:2022/6/12 8:14:00 訪問次數:63 發布企業:深圳市晨豪科技有限公司
RU6199S-R,N溝道60V200A,場效應管(MOSFET)
型號：RU6199S-R
品牌：Ruichips(銳駿半導體)
封裝：TO-263
型號：RU6199S-R
品牌：Ruichips(銳駿半導體)
封裝：TO-263
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