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NVJD5121NT1G 全新原裝正品 現貨

發布時間:2022/6/13 14:29:00 訪問次數:69

NVJD5121NT1G

製造商: onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-363-6
晶體管極性: N-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 300 mA
Rds On - 漏-源電阻: 1 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1 V
Qg - 閘極充電: 900 pC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 300 mW
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: onsemi
配置: Dual
下降時間: 32 ns
互導 - 最小值: 80 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 34 ns
30000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
標準斷開延遲時間: 34 ns
標準開啟延遲時間: 22 ns
每件重量: 7.500 mg


NCV4275ADT50RKG
L9945TR
PIC16F1829T-E/SSVAO
TPS7A1901DRBR
LM73605QRNPRQ1
TPS7B6933QDBVRQ1
ISO7742DBQR
OPA376AIDCKR
STM32G431CBT6


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